芯片冷熱衝擊試驗箱

芯片冷熱衝(chong) 擊試驗箱用於(yu) 電工電子電器機械等零組件、自動化零部件、國防工業(ye) 行業(ye) 、航空航天研究所、兵工業(ye) 、通訊產(chan) 品或組件、汽車成品或配件、金屬材料、化學材料、五金塑膠、LED、LCD光電、光伏、照明、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導體(ti) 陶磁及高分子材料之物理牲變化,測試其材料對冷、熱溫的快速反複抵抗力及工業(ye) 產(chan) 品處於(yu) 熱脹冷縮的環境時所出現的化學變化或者物理傷(shang) 害，可確認工業(ye) 產(chan) 品的質量,從(cong) 精密的IC到重機械的組件，可作為(wei) 工業(ye) 行業(ye) 眾(zhong) 多產(chan) 品改進質量的依據或參考。以便考核產(chan) 品的適應性或對測試產(chan) 品的行

為(wei) 作出評價(jia) 。是新產(chan) 品研發、樣機實驗、產(chan) 品合格鑒定試驗全過程的重要試驗手段。

參照標準：

GB/T2423.1-2008 電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分試驗方法 試驗A 低溫

GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chan) 品環境試驗 第2部分:試驗方法 試驗B:高溫

GB/T 10592-2008 高低溫試驗箱技術條件

芯片冷熱衝(chong) 擊試驗箱技術參數：

溫度範圍可選：-40~150℃；-55~150℃；-65~150℃

高溫儲(chu) 溫區：+60℃~+200℃

低溫儲(chu) 溫區：-10℃~-75℃;

溫度循環衝(chong) 擊恢複時間： 3~5min內(nei) ；溫度循環衝(chong) 擊移動時間： ≤10sec內(nei) 。

升溫時間(蓄熱區) ：RT~200℃約需35min；降溫時間(蓄冷區) ：RT~-70℃約需85min

內(nei) 箱尺寸可選擇：35×35×40、50×40×40、60×50×50、70×60×60

內(nei) 外箱材質：外殼防鏽處理冷軋鋼板(噴塑)或不鏽鋼板（SUS304）；內(nei) 箱100%保證為(wei) 不鏽鋼板(SUS304) ，絕熱材料為(wei) 聚氨酯泡沫和玻璃纖維

氣動氣缸：高溫、環境溫度、低溫曝露時的各個(ge) 風門驅動用

空氣壓縮機：提供驅動氣動風門的壓縮空氣（選件）

安全裝置：超溫保護裝置、漏電保護裝置、短路保護裝置、電機過熱保護裝置、壓縮機超壓保護裝置、超載保護裝置、過電流保護裝置等。